特约记者/张静

韩国半导体产业界迎来“逆袭”全球半导体代工冠军——的星量重要契机。据韩国《每日经济》7月2日的产纳产出报道，随着6月30日全球首次开始量产3纳米全环绕栅极（GAA）制程工艺节点芯片，米产外界开始预测三星电子与台积电的品引未来竞争格局。韩国业内评估认为，台媒提高投入三星电子抢先引入最新工艺技术为赶超台积电打下基础，关注关键台积电与三星电子现有的短期技术差距“无法轻易弥补”。

市场研究机构集邦咨询最新的率台数据显示，今年第一季度台积电在全球半导体代工销售中的积电竞争份额为53.6%，约为三星（16.3%）的星量三倍。但随着首次开始量产3纳米芯片，产纳产出三星电子加快追赶步伐。米产凭借新技术，品引三星将通过争取、台媒提高投入和 等潜在客户来缩小与台积电的关注关键差距。韩国《朝鲜日报》的报道称，相较于之前最先进5纳米量产工艺，三星的3纳米工艺可节约45%电力，产品性能提高23%。

全球首个3nm芯片量产官宣 图源 视觉中国

三星的技术进步引起台媒关注，台湾联合新闻网7月2日报道称，台积电要等到2023年才会开始生产3纳米制程芯片产品，预期三星将会利用技术优势抢先争取更多代工客户。目前，台积电的尖端工艺是4纳米制程，并在这一级别上拥有全球最高量产制造水平。

台媒同时强调，虽然三星率先宣布实现3纳米制程量产，但如果不能稳定和按时供货，便无法夺取市场。尤其在此前的4纳米工艺上，三星电子的投入产出率（合格品所占比例）被指不及台积电。此前三星凭借5纳米制程技术代工的美国公司处理器暴露出容易过热的问题，高通后续处理器换成台积电5纳米制程技术后，发热控制表现较好，因此市场对于三星3纳米制程技术存在质疑。有分析认为，能否在短期内将投入产出率提上来将成为三星电子与台积电竞争的关键。